افزایش بازده تولید در حافظههای جدید HBM4 میتواند سامسونگ را به صحنه رقابت در بازار حافظههای پیشرفته بازگرداند.

به گزارش تکراتو و به نقل از sammobile، واحد تراشهسازی سامسونگ در سالهای اخیر با ضررهای میلیارد دلاری روبرو شده است، چرا که از رقیب اصلی خود SK Hynix در بخش حافظههای پهنباند یا همان HBM عقب افتاد.
در حال حاضر، SK Hynix تأمینکننده اصلی ماژولهای HBM3 برای شرکت NVIDIA به شمار میرود، ماژولهایی که در شتابدهندههای هوش مصنوعی این شرکت کاربرد دارند و تقاضای بالایی برای آنها وجود دارد.
شرکت Micron نیز در جایگاه دوم قرار دارد. در این میان، سامسونگ هنوز موفق نشده تأییدیههای کیفی NVIDIA را برای حافظههای HBM3E خود دریافت کند.
با این حال، سامسونگ امیدوار است با عرضه حافظههای نسل بعدی HBM4 بتواند شرایط را به نفع خود تغییر دهد. خبر خوب برای این شرکت این است که نرخ بازده تستهای اولیه برای چیپهای HBM4 به عدد قابل توجه ۴۰ درصد رسیده است، موضوعی که باعث خوشبینی محتاطانه در میان مدیران این شرکت شد.
در ابتدا، بازده تولید این تراشهها در محدوده ۱۰ تا ۲۰ درصد بود، اما حالا با رسیدن به ۴۰ درصد، سامسونگ میتواند با سرعت بیشتری به مرحله تولید انبوه برسد و دوباره در بازار حافظههای پیشرفته عرض اندام کند. همچنین انتظار میرود این حافظههای HBM4 برای ۱۲ سال آینده این شرکت اهمیت استراتژیک داشته باشند.
جون یونگ-هیون، رئیس بخش نیمهرساناهای سامسونگ، عملکرد تیم تولید را در این زمینه ستوده و آن را نشانهای از پیشرفت پایدار میداند.
عامل کلیدی در موفقیت حافظههای جدید HBM4، استفاده از DRAM نسل ششم سامسونگ موسوم به 1c خواهد بود. این حافظهها روی تراشههای منطقی نصب میشوند و در صورت موفقیت، میتوانند نسبت به حافظههای HBM4 شرکت SK Hynix برتری پیدا کنند؛ چرا که گفته میشود Hynix هنوز از DRAM نسل قبلی 1b در محصولات خود استفاده میکند.
با این حال، سامسونگ باید یک مشکل مهم را نیز برطرف کند. تکنولوژی بستهبندی TC-NCF این شرکت که برای مدیریت گرما در تراشهها به کار میرود، در حال حاضر چالشهایی دارد.
همین موضوع یکی از دلایلی بوده که NVIDIA هنوز حافظههای HBM3E سامسونگ را تأیید نکرده. اگر سامسونگ بتواند این مسئله را در نسخه HBM4 حل کند، ممکن است جایگاه پیشتاز خود را از SK Hynix پس بگیرد؛ شرکتی که اخیراً پس از ۳۳ سال، سامسونگ را از صدر بازار جهانی DRAM پایین کشیده است.
source